2N3904(2010) 查看數據表（PDF） - Diotec Semiconductor Germany
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
2N3904 Datasheet PDF : 2 Pages
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2N3904
2N3904
NPN
Si-Epitaxial-Planar Switching Transistors
Si-Epitaxial-Planar Schalttransistoren
Version 2010-02-09
Power dissipation
Verlustleistung
CBE
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
2 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
NPN
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
2N3904
40 V
60 V
6V
625 mW 1)
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
IC = 0.1 mA, VCE = 1 V
IC = 1 mA, VCE = 1 V
IC = 10 mA, VCE = 1 V
IC = 50 mA, VCE = 1 V
IC = 100 mA, VCE = 1 V
h-Parameters at/bei VCE = 10 V, - IC = 1 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
hFE
4070
–
–
hFE
100
–
–
hFE
60
–
300
hFE
30
–
–
hFE
–
–
hfe
100
–
hie
1 kΩ
–
hoe
1 µS
–
hre
0.5*10-4
–
400
10 kΩ
40 µS
8*10-4
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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