MCH5819 查看數據表（PDF） - SANYO -> Panasonic
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
MCH5819 Datasheet PDF : 5 Pages
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注文コード No. N 7 4 5 4
MCH5819
No. N 7 4 5 4
33004
MCH5819
新
MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
SBD : ショットキバリアダイオード
DC / DC コンバータ用
特長
・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード（SBS006M）を
1 パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・［MOS］1) 低オン抵抗 2) 超高速スイッチング 3) 4V 駆動
・［SBD］ 1) 逆回復時間が短い 2) 低順電圧
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
［MOSFET 部］
unit
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
VDSS
VGSS
ID
30 V
± 20 V
1.4 A
ドレイン電流（パルス）
許容損失
IDP PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
PD セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
5.6 A
0.8 W
チャネル温度
Tch
150 ℃
保存周囲温度
Tstg
− 55 〜＋ 125 ℃
［SBD 部］
繰り返しピーク逆電圧
VRRM
非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM
平均整流電流
IO
サージ電流
接合部温度
IFSM 50Hz 正弦波 1 サイクル
Tj
保存周囲温度
Tstg
unit
30 V
30 V
0.5 A
3A
− 55 〜＋ 125 ℃
− 55 〜＋ 125 ℃
単体品名表示：QV
電気的接続図
5
4
1
2
3
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
(Top view)
外形図 2195
(unit : mm)
0.3
0.15
4
5
3 21
0.65
2.0
(Bottom view)
5
4
1 23
(Top view)
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
SANYO : MCPH5
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
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〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
33004 TS IM ◎佐藤 TA-100373 No.7454-1/5
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