SSM6N815R Даташит - Toshiba
Номер в каталоге
SSM6N815R
производитель

Toshiba
Features
(1) 4.0 V drive
(2) Low drain-source on-resistance
: RDS(ON) = 115 mΩ (typ.) (@VGS = 4.0 V)
RDS(ON) = 101 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V)
RDS(ON) = 84 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V)
APPLICATIONs
• Power Management Switches
Номер в каталоге
Компоненты Описание
View
производитель
MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( Rev : 2017 )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( Rev : 2014 )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( Rev : 2018 )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( Rev : 2014 )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba