Номер в каталоге
CP230
Компоненты Описание
Other PDF
PDF
page
1 Pages
File Size
33.1 kB
производитель
Central Semiconductor
CP230(2005) Даташит - Central Semiconductor
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL BASE
Die Size 80 X 80 MILS
Die Thickness 8 MILS
Base Bonding Pad Area 18 X 27 MILS
Emitter Bonding Pad Area 34 X 34 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Ti/Pd/Ag (20,000Å)
Номер в каталоге
Компоненты Описание
View
производитель
Power Transistors PNP - Silicon Darlington Transistor Chip ( Rev : 2005 )
Central Semiconductor
Share Link: 