RSB12WM Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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производитель

RSB12WM

Transient Voltage Suppressor

ROHM Semiconductor 

RSB12W M

Transient Voltage Suppressor

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline

VRWM

9

V

Ct

1.0

pF

●Features

Ultra Small mold type

Low Capacitance

Bidirectional

●Inner Circuit

Data sheet

　　　

　

　

　

　

　

　

　

　

　　　

●Application

Surge Protection

●Structure

Silicon Epitaxial Planar

●Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

Power dissipation

PD

Junction temperature

Tj

Storage temperature

Tstg

ESD capability

VESD

●Packaging Specifications

Packing

Embossed Tape

Reel Size(mm)

180

Taping Width(mm)

8

Basic Ordering Unit(pcs)

3000

Taping Code

TL

Marking

7D

Conditions

-

-

-

IEC61000-4-2

Air

Contact

*IEC61000-4-2

　

Min. Max. Unit

- 150 mW

- 150 ℃

-55 150 ℃

- ±15 kV

- ±8 kV

C=150pF R=330Ω

●Characteristics (Ta = 25ºC)

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

Parameter

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Reverse Stand-off voltage

VRWM

-

- - 9V

Breakdown voltage

VBR

IT=5mA

9.6 - 14.4 V

Reverse current

IR

VR=9V

- - 0.1 μA

Capacitance between terminals

Ct

VR=0V f=1MHz

- 1.0 - pF

Breakdown voltage (VBR) time is 40ms .

(3)pin OPEN.

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　

www.rohm.com

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　 2018/07/11_Rev.001

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