BSS138NE6433 Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
BSS138NE6433 Datasheet PDF : 9 Pages
| |||
13 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=0.23 A pulsed
parameter: V DD
12
10
8
12 V
6
14 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA
BSS138N
70
30 V
65
48 V
60
4
55
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Q gate [nC]
50
-60 -20
20
60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 2.1
page 7
2004-04-15
Share Link: 