SH8M31 Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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SH8M31

60V Nch+Pch Power MOSFET

ROHM Semiconductor 

SH8M31

　 　 　 　　 　

lGate charge characteristics (Ta = 25°C)

<Tr1>

Parameter

Symbol

Conditions

Total gate charge

Gate - Source charge

Gate - Drain charge

Qg*4

Qgs*4

Qgd*4

VDD ⋍ 30V, ID = 4.5A

VGS = 5.0V

　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet

Values

Unit

Min. Typ. Max.

- 7.0 -

- 1.6 - nC

- 2.5 -

<Tr2>

Parameter

Total gate charge

Gate - Source charge

Gate - Drain charge

Symbol

Conditions

Qg*4

Qgs*4

Qgd*4

VDD ⋍ -30V, ID = -4.5A

VGS = -10V

Values

Unit

Min. Typ. Max.

- 40 -

- 5.5 - nC

- 5.0 -

lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)

<Tr1>

Parameter

Symbol

Conditions

Values

Unit

Min. Typ. Max.

Continuous forward current

Pulse forward current

Forward voltage

IS

ISP*1

VSD*4

Ta = 25℃

VGS = 0V, IS = 4.5A

-

- 1.67

A

-

- 18

-

- 1.2 V

<Tr2>

Parameter

Continuous forward current

Pulse forward current

Forward voltage

Symbol

Conditions

IS

ISP*1

VSD*4

Ta = 25℃

VGS = 0V, IS = -4.5A

Values

Unit

Min. Typ. Max.

-

- -1.67

A

-

- -18

-

- -1.2 V

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　

www.rohm.com

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20171114 - Rev.002

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