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M13S64164A-5TIG Просмотр технического описания (PDF) - [Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
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производитель
M13S64164A-5TIG
1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
[Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
M13S64164A-5TIG Datasheet PDF : 49 Pages
1
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Last
ESMT
Functional Block Diagram
CLK
CLK
CKE
Clock
Generator
Address
Mode Register &
Extended Mode
Register
Row
Address
Buffer
&
Refresh
Counter
CS
RAS
CAS
WE
Column
Address
Buffer
&
Refresh
Counter
M13S64164A
Operation Temperature Condition -40
°
C~85
°
C
Bank D
Bank C
Bank B
Bank A
Sense Amplifier
Column Decoder
Data Control Circuit
DM
DQ
Pin Arrangement
x16
V
DD
1
DQ
0
2
V
DDQ
3
DQ
1
4
DQ
2
5
V
SSQ
6
DQ
3
7
DQ
4
8
V
DDQ
9
DQ
5
10
DQ
6
11
V
SSQ
1 2
DQ
7
13
NC
14
V
DDQ
1 5
LDQS 16
NC
17
V
DD
18
NC
19
LDM 20
WE
21
CAS 22
RAS 23
CS
24
NC
25
BA
0
26
BA
1
27
A
10
/AP 28
A
0
29
A
1
30
A
2
31
A
3
32
V
DD
33
66 PIN TSOP(II)
(400mil x 875mil)
(0.65 mm PIN PITCH)
x16
66
V
SS
65
DQ
15
64
V
SSQ
63
DQ
14
62
DQ
13
61
V
DDQ
60
DQ
12
59
DQ
11
58
V
SSQ
57
DQ
10
56
DQ
9
55
V
DDQ
54
DQ
8
53
NC
52
V
SSQ
51
UDQ S
50
NC
49
V
REF
48
V
SS
47
UDM
46
CL K
45
CL K
44
CKE
43
NC
42
NC
41
A
11
40
A
9
39
A
8
38
A
7
37
A
6
36
A
5
35
A
4
34
V
SS
CLK, CLK
DLL
DQS
DQS
60-Ball BGA Assignment (Top View)
1
2
3
A
V
SSQ
DQ15 V
SS
7
8
9
V
DD
DQ0 V
DDQ
B
DQ14 V
DDQ
DQ13
DQ2 V
SSQ
DQ1
C
DQ12 V
SSQ
DQ11
DQ4 V
DDQ
DQ3
D
DQ10 V
DDQ
DQ9
DQ6 V
SSQ
DQ5
E
DQ8 V
SSQ UDQS
LDQS
V
DDQ
DQ7
F
V
REF
V
SS
UDM
LDM V
DD
NC
G
CLK CLK
WE CAS
H
NC CKE
J
A11 A9
K
A8
A7
L
A6
A5
M
A4
V
SS
RAS
CS
BA1 BA0
A0
A10/AP
A2
A1
V
DD
A3
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Mar. 2009
Revision : 1.0
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