SFH4860 Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies

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Компоненты Описание

производитель

SFH4860

GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)

Infineon Technologies 

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)

GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)

SFH 4860

Wesentliche Merkmale

• Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren

• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

• Hohe Zuverlässigkeit

• Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

• Hermetisch dichtes Metallgehäuse

Anwendungen

• Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• IR-Gerätefernsteuerungen

• Sensorik

• Lichtgitter

Features

• Fabricated in a liquid phase epitaxy process

• Cathode is electrically connected to the case

• High reliability

• Matches all Si-Photodetectors

• Hermetically sealed package

Applications

• Photointerrupters

• IR remote control of various equipmet

• Sensor technology

• Light-grille barrier

Typ

Type

SFH 4860

Bestellnummer

Ordering Code

Q62702-P5053

Gehäuse

Package

18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe,

Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),

Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden

18 A3 DIN 870 (TO -18), flat glass cap, lead spacing

2.54 mm (1/10’’),

anode marking: projection at package bottom

2001-02-22

1

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