HYB314175BJ-50 Просмотр технического описания (PDF) - Siemens AG

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

HYB314175BJ-50

3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM (Low power version with Self Refresh)

Siemens AG 

HYB 314175BJ/BJL-50/-55/-60

3.3V 256K x 16 EDO-DRAM

CAS/-Before-RAS Refresh Counter Test Cycle

Semiconductor Group

23

Share Link: