BSS87 Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

BSS87

SIPMOS® Small-Signal-Transistor

Infineon Technologies 

Rev. 2.0

BSS87

13 Typ. gate charge

VGS = f (QG); parameter: VDS ,

ID = 0.26 A pulsed, Tj = 25 °C

16

V

14 Drain-source breakdown voltage

V(BR)DSS = f (Tj)

291

V

12

10

8 0.2 VDS max

0.5 VDS max

6 0.8 VDS max

4

2

0

0

1

2

3

4

nC

6

QG

276

271

266

261

256

251

246

241

236

231

226

221

216

-60 -20

20

60 100 °C

180

Tj

Page 7

2016-05-30

Share Link: