R6018ANJ Просмотр технического описания (PDF) - ROHM Semiconductor

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R6018ANJ

Nch 600V 18A Power MOSFET

ROHM Semiconductor 

R6018ANJ

　　Nch 600V 18A Power MOSFET

　　 Datasheet

lOutline

VDSS

RDS(on)(Max.)

ID

PD

600V

0.27Ω

±18A

100W

LPT(S)

SC-83

TO-263

　　　　　　

for 　

　

　

d lFeatures

1) Low on-resistance.

e 2) Fast switching speed.

3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to

d be ±30V.

n s 4) Drive circuits can be simple.

5) Parallel use is easy.

e n 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

mm sig lApplication

e Switching Power Supply

eco D lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

w Parameter

R e Drain - Source voltage

t N Continuous drain current

TC = 25°C

TC = 100°C

o Pulsed drain current

NGate - Source voltage

　　　　　　

lInner circuit

lPackaging specifications

Packing

Reel size (mm)

Type Tape width (mm)

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

Marking

Symbol

VDSS

ID*1

ID*1

ID,pulse*2

VGSS

Value

600

±18

±8.7

±72

±30

　　　　　　

Embossed

Tape

330

24

1000

TL

R6018ANJ

Unit

V

A

A

A

V

Avalanche energy, single pulse

EAS*3

21.6

mJ

Avalanche energy, repetitive

EAR*4

8.4

mJ

Avalanche current

IAR*3

9

A

Power dissipation (Tc = 25°C)

PD

100

W

Junction temperature

Tj

150

℃

Range of storage temperature

Tstg

-55 to +150

℃

Reverse diode dv/dt

dv/dt

15

V/ns

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

www.rohm.com

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20150730 - Rev.002 　 　

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