JCS830B Просмотр технического описания (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
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JCS830B Datasheet PDF : 14 Pages
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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS830
项目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
符号
Symbol
JCS830V/R
数值
Value
JCS830S/B/C
VDSS
500
连续漏极电流
ID
4.5
T=25℃
Drain Current -continuous
T=100℃
2.9
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（note IDM
18
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
±30
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy EAS
270
（note 2）
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
IAR
4.5
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current
EAR
7.3
（note 1）
二极管反向恢复最大电压变化速
率（注 3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note dv/dt
5.5
3）
耗散功率
Power Dissipation
PD
59
73
TC=25℃
-Derate
0.48
0.58
above
25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
TJ，TSTG
-55～+150
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for TL
300
Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
JCS830F
4.5*
2.9*
18*
38
0.3
单
位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本：201007A
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