HAF2012L Просмотр технического описания (PDF) - Renesas Electronics

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

HAF2012L

Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching

Renesas Electronics 

HAF2012(L), HAF2012(S)

10.2 ± 0.3

4.44 ± 0.2

1.3 ± 0.15

1.2 ± 0.2

2.54 ± 0.5

1.27 ± 0.2

0.86

+

–

0.2

0.1

2.54 ± 0.5

0.1

+

–

0.2

0.1

0.4 ± 0.1

As of January, 2001

Unit: mm

7.8

6.6

2.2

Hitachi Code

JEDEC

EIAJ

Mass (reference value)

LDPAK (S)-(1)

—

—

1.3 g

Share Link: