HAF2012L Просмотр технического описания (PDF) - Renesas Electronics

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

HAF2012L

Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching

Renesas Electronics 

Package Dimensions

10.2 ± 0.3

HAF2012(L), HAF2012(S)

4.44 ± 0.2

1.3 ± 0.15

As of January, 2001

Unit: mm

1.2 ± 0.2

2.54 ± 0.5

1.27 ± 0.2

0.86

+

–

0.2

0.1

0.76 ± 0.1

2.54 ± 0.5

2.59 ± 0.2

0.4 ± 0.1

Hitachi Code

JEDEC

EIAJ

Mass (reference value)

LDPAK (L)

—

—

1.4 g

Share Link: