GBI10M(2003) Просмотр технического описания (PDF) - Diotec Semiconductor Germany

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производитель

GBI10M
(Rev.:2003)

Silicon-Bridge Rectifiers

Diotec Semiconductor Germany  

GBI 10A ... GBI 10M

Characteristics

Max. fwd. current without cooling fin

Dauergrenzstrom ohne Kühlblech

TA = 50/C R-load

C-load

Max. current with forced cooling

TC = 100/C R-load

Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung

C-load

Forward voltage – Durchlaßspannung

Leakage current – Sperrstrom

Tj = 25/C

Tj = 25/C

IF = 5 A

VR = VRRM

Typical thermal resistance junction to ambient air

Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Typical thermal resistance junction to case

Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse

Kennwerte

IFAV

3.0 A

IFAV

2.2 A

IFAV

10 A 3)

IFAV

8 A 3)

VF

< 1.05 V 1)

IR

< 10 :A

RthA

25 K/W 2)

RthC

3 K/W 3)

1) Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig

2) Without cooling fin – Ohne Kühlblech

3) Mounted on heatsink with silicon thermal compound and forced airflow resp water cooling

Montage auf Kühlkörper mit Wärmeleitpaste und Gebläse- bzw. Wasserkühlung

2

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