4126L-T60-T Просмотр технического описания (PDF) - Unisonic Technologies
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
4126L-T60-T Datasheet PDF : 4 Pages
| |||
4126
■ TYPICAL CHARACTERICS
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Safe work area
10
Pc∝TJ
120
100
1
80
Is/s
0.1
0.01
100
VCC (V)
hFE - Ic
VCC=1.5V
60
40
Ptot
20
0
TJ (℃)
hFE - Ic
100
VCC=5V
TJ=125℃
TJ=125℃
TJ=25℃
10
TJ=25℃
10
1
0.001 0.01
0.1
1
10
Ic (A)
10 hFE=5
VCE (sat) (V) - Ic
1
TJ=125℃
0.1
TJ=25℃
0.01
0.1
1
10
Ic (A)
1
0.001 0.01
0.1
1
10
Ic (A)
1.2
hFE=5
1.1
1
VBE (sat) (V) - Ic
0.9 TJ=25℃
0.8
0.7
TJ=125℃
0.6
0.5
0.4
0.1
1
10
Ic (A)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3
QW-R204-021,B
Share Link: 