3SK195 Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba

Номер в каталоге

Компоненты Описание

производитель

3SK195

Silicon N Channel Dual Gate MOS Type Field Effect Transistor

Toshiba 

3SK195

L1: 1 mmφ silver plated copper wire, 2 turns, 8 mm ID

L2: 1 mmφ silver plated copper wire, 2.5 turns, 8 mm ID

Figure 1 200 MHz, Gps NF Test Circuit

Marking

2

2007-11-01

Share Link: