Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
русский
▼
English
한국어
日本語
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
2SD2604 Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
2SD2604
Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington) Transistor
Toshiba
2SD2604 Datasheet PDF : 5 Pages
1
2
3
4
5
V
CE
– I
C
10
Common emitter
Tc = 25°C
8
0.8
1.2
1.0
1.8
1.6 1.4
6
2.0
0.6
4
0.4
2
IB = 0.2 mA
0
0
2
4
6
8
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE (sat)
10
Common emitter
IC/IB = 500
1
−
55
25
Tc = 100°C
0.1
0.1
1
10
Collector current I
C
(A)
2SD2604
10000
Tc = 100°C
h
FE
– I
C
25
−
55
1000
100
Common emitter
VCE = 3 V
50
0.1
1
10
Collector current I
C
(A)
I
C
– V
BE (sat)
10
Common emitter
IC/IB = 500
−
55
25
1
Tc = 100°C
0.1
0.1
1
10
Collector current I
C
(A)
3
2006-11-21
Share Link:
datasheetbank.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]