Product Features
◾ High Performance Read-While-Write/
   Erase
   —Burst frequency at 66 MHz
   —60 ns Initial Access Read Speed
   —11 ns Burst-Mode Read Speed
   —20 ns Page-Mode Read Speed
   —4-, 8-, 16-, and Continuous-Word Burst
      Mode Reads
   —Burst and Page Mode Reads in all
      Blocks, across all partition boundaries
   —Burst Suspend Feature
   —Enhanced Factory Programming at
      3.1 µs/word (typ.for 0.13 µm)
◾ Security
   —128-bit Protection Register
   —64-bits Unique Programmed by Intel
   —64-bits User-Programmable
   —Absolute Write Protection with VPP at
      Ground
   —Individual and Instantaneous Block
      Locking/Unlocking with Lock-Down
      Capability
◾ Quality and Reliability
   —Temperature Range: –40 °C to +85 °C
   —100k Erase Cycles per Block
   —0.13 µm ETOX™ VIII Process
   —0.18 µm ETOX™ VII Process
◾ Architecture
   —Multiple 4-Mbit Partitions
   —Dual Operation: RWW or RWE
   —8KB parameter blocks
   —64KB main blocks
   —Top or Bottom Parameter Devices
   —16-bit wide data bus
◾ Software
   —5 µs (typ.) Program and Erase Suspend
      Latency Time
   —Flash Data Integrator (FDI) and Common
      Flash Interface (CFI) Compatible
   —Programmable WAIT Signal Polarity
◾ Packaging and Power
   —0.13 µm: 32-, 64-, and 128-Mbit in VF
      BGA Package; 128-Mbit in QUAD+
      Package
   —0.18 µm: 32- and 128-Mbit Densities in
      VF BGA Package; 64-Mbit Density in
      µBGA* Package
   —56 Active Ball Matrix, 0.75 mm BallPitch
   —VCC = 1.70 V to 1.95 V
   —VCCQ = 1.70 V to 2.24 V or 1.35 V to
      1.80 V
   —Standby current (0.13 µm): 8µA (typ.)
   —Read current: 7mA (typ.)