SS8050 데이터 시트보기 (PDF) - Unspecified
부품명
상세내역
제조사
SS8050 Datasheet PDF : 2 Pages
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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD.
SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SS8050 ( NPN )
印章/Marking：Y1
特点/Features：
IC 电流大；
用途/Applications：
用于功率放大电路，与 SS8550 互补。
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数/Parameter
符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit
集电极-基极电压/Collector-Base Voltage
VCBO
40
V
集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage
VCEO
25
V
发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage
集电极连续电流/Collector Current Continuous
VEBO
5
V
*
IC
1.25～1.5
A
集电极耗散功率/Collector Power Dissipation
PC
0.3
W
结温/Junction Temperature
Tj
150
℃
储存温度/Storage Temperature
Tstg
-55～150
℃
注：Ib 在 100mA 时，IC 可在 1.5A 连续工作，Ib 减小时，IC 最大连续工作电流会减小。
电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃)
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
集电极-基极击穿电压 VBR(CBO)
IC=100μA,IE=0
40
V
集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO)
IC=100μA,IB=0
25
V
发射极-基极击穿电压 VBR(EBO)
IE=100μA,IC=0
5
V
集电极截止电流
ICBO
VCB=40V,IE=0
0.1 μA
发射极截止电流
IEBO
VEB=5V,IC=0
0.1 μA
集电极发射极穿透电流 ICEO
VCE=20V,IB=0
0.1 μA
直流电流增益
hFE(1)
VCE=1V,IC=100mA
120
400
直流电流增益
hFE(2)
VCE=1V,IC=800mA
40
集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)
IC=800mA,IB=80mA
0.5 V
基极-发射极饱和压降 VBE(sat)
IC=800mA,IB=80mA
1.2 V
特征频率
fT VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz 100
MHz
hFE 分档/Classification of hFE（1）
档位/Rank
范围/Range
L
120～200
H
200～350
J
300～400
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