Philips Semiconductors
2-input NOR gate
Product specification
74AHC1G02; 74AHCT1G02
DC CHARACTERISTICS
Family 74AHC1G
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
TEST CONDITIONS
SYMBOL PARAMETER
OTHER
VCC
(V)
VIH
HIGH-level input
2.0
voltage
3.0
5.5
VIL
LOW-level input
2.0
voltage
3.0
5.5
VOH
HIGH-level output VI = VIH or VIL; 2.0
voltage
IO = −50 µA
VI = VIH or VIL;
3.0
IO = −50 µA
VI = VIH or VIL;
4.5
IO = −50 µA
VI = VIH or VIL;
3.0
IO = −4.0 mA
VI = VIH or VIL;
4.5
IO = −8.0 mA
VOL
LOW-level output VI = VIH or VIL; 2.0
voltage
IO = 50 µA
VI = VIH or VIL;
3.0
IO = 50 µA
VI = VIH or VIL;
4.5
IO = 50 µA
VI = VIH or VIL;
3.0
IO = 4.0 mA
VI = VIH or VIL;
4.5
IO = 8.0 mA
ILI
input leakage
VI = VCC or GND 5.5
current
ICC
quiescent supply VI = VCC or GND; 5.5
current
IO = 0
CI
input capacitance
Tamb (°C)
25
−40 to +85 −40 to +125 UNIT
MIN. TYP. MAX. MIN. MAX. MIN. MAX.
1.5 −
2.1 −
3.85 −
−
−
−
−
−
−
1.9 2.0
−
1.5 −
1.5 −
V
−
2.1 −
2.1 −
V
−
3.85 −
3.85 −
V
0.5 −
0.5 −
0.5 V
0.9 −
0.9 −
0.9 V
1.65 −
1.65 −
1.65 V
−
1.9 −
1.9 −
V
2.9 3.0 −
2.9 −
2.9 −
V
4.4 4.5 −
4.4 −
4.4 −
V
2.58 −
−
2.48 −
2.40 −
V
3.94 −
−
3.8 −
3.70 −
V
−
0
0.1 −
0.1 −
0.1 V
−
0
0.1 −
0.1 −
0.1 V
−
0
0.1 −
0.1 −
0.1 V
−
−
0.36 −
0.44 −
0.55 V
−
−
0.36 −
0.44 −
0.55 V
−
−
0.1 −
1.0 −
2.0 µA
−
−
1.0 −
10 −
40 µA
−
1.5 10 −
10 −
10 pF
2002 May 27
5