部品番号
SSM6N813RLXGF
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Toshiba
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SSM6N813RLXGF データシート - Toshiba
Toshiba
Features
(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)
(2) 175 °C MOSFET
(3) 4.5 V drive
(4) Low drain-source on-resistance
: RDS(ON) = 110 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V)
RDS(ON) = 88 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V)
APPLICATIONs
• Power Management Switches
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