部品番号
D1060
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Unisonic Technologies
D1060(Ver_B) データシート - Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
FEATURE
* Low collector-to-emitter saturation voltage:
VCE(sat)=0.4V max/IC=3A, IB=0.3A
APPLICATIONS
* Suitable for relay drivers, high-speed inverter, converters,
and other general large-current switching.
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