部品番号
CPZ25
コンポーネント説明
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Central Semiconductor
CPZ25 データシート - Central Semiconductor
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 33.5 X 33.5 MILS
Die Thickness 8.0 MILS
Anode Bonding Pad Area 23 X 23 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
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