部品番号
CP595
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メーカー
Central Semiconductor
CP595 データシート - Central Semiconductor
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 30 x 30 MILS
Die Thickness 7.0 MILS
Base Bonding Pad Area 8.0 x 8.0 MILS
Emitter Bonding Pad Area 7.6 x 7.6 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 10,000Å
部品番号
コンポーネント説明
ビュー
メーカー
Small Signal Transistor PNP - High Voltage Transistor Chip ( Rev : 2002 )
Central Semiconductor
Small Signal Transistors PNP - High Voltage Transistor Chip ( Rev : 2005 )
Central Semiconductor
Small Signal Transistors PNP - High Voltage Transistor Chip ( Rev : 2005 )
Central Semiconductor
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