部品番号
CP547
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メーカー
Central Semiconductor
CP547 データシート - Central Semiconductor
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL BASE
Die Size 195 X 195 MILS
Die Thickness 12 MILS
Base Bonding Pad Area 29 X 29 MILS
Emitter Bonding Pad Area 61 X 35 MILS
Top Side Metalization AI - 30,000Å
Back Side Metalization Ti/Ni/Au - 6,000Å
部品番号
コンポーネント説明
ビュー
メーカー
Power Transistors PNP - Silicon Darlington Transistor Chip ( Rev : 2005 )
Central Semiconductor
Small Signal Transistor PNP - Darlington Transistor Chip ( Rev : 2002 )
Central Semiconductor
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