部品番号
CP315V
Other PDF
PDF
page
1 Pages
File Size
35.9 kB
メーカー
Central Semiconductor
CP315V(2006) データシート - Central Semiconductor
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process Epitaxial Planar
Die Size 40 x 40 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Base Bonding Pad Area 7.9 x 8.7 MILS
Emitter Bonding Pad Area 9.0 x 14 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å
部品番号
コンポーネント説明
ビュー
メーカー
Small Signal Transistors NPN - High Current Transistor Chip ( Rev : 2005 )
Central Semiconductor
Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip ( Rev : 2002 )
Central Semiconductor
Share Link: 