PROCESS DETAILS
   Process                              EPITAXIAL PLANAR
   Die Size                              66 x 66 MILS
   Die Thickness                     12.5 ± 1.0 MILS
   Base Bonding Pad Area     12 x 24 MILS
   Emitter Bonding Pad Area  11 x 14 MILS
   Top Side Metalization          Al - 50,000Å
   Back Side Metalization       Cr/Ni/Ag - 16,000Å