CFY30 データシート - Siemens AG
GaAs FET
* Low noise ( Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz )
* High gain ( 11.5 dB typ. @ 4 GHz )
* For oscillators up to 12 GHz
* For amplifiers up to 6 GHz
* Ion implanted planar structure
* Chip all gold metallization
* Chip nitride passivation
部品番号
コンポーネント説明
ビュー
メーカー
Share Link: 