部品番号
CFY30
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メーカー
Infineon Technologies
CFY30(2000) データシート - Infineon Technologies
Infineon Technologies
GaAs FET
• Low noise (Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz)
• High gain (11.5 dB typ. @ 4 GHz)
• For oscillators up to 12 GHz
• For amplifiers up to 6 GHz
• Ion implanted planar structure
• Chip all gold metallization
• Chip nitride passivation
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