部品番号
3DK501D
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Inchange Semiconductor
3DK501D データシート - Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 450V(Min.)
• DC Current Gain
: hFE= 20(Min.)@IC= 10A
• Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.2V(Max)@ IC= 10A
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Designed for B&W TV horizontal output , regulated power
supply and power amplifier applications.
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