部品番号
2SD2276Q
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メーカー
Inchange Semiconductor
2SD2276Q データシート - Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 140V(Min)
·High DC Current Gain-
: hFE= 5000( Min.) @(IC= 7A, VCE= 5V)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 2.5V(Max)@ (IC= 7A, IB= 7mA) B
·Complement to Type 2SB1503
APPLICATIONS
·Designed for power amplification.
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