部品番号
2SB1393
コンポーネント説明
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New Jersey Semiconductor
2SB1393 データシート - New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -60V(Min.)
• Good Linearity of hFE
• Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -1.2V(Max,)@ lc= -3A
• Complement to Type 2SD1985
APPLICATIONS
• Designed for high power amplifications.
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