MMBT5401 データシートの表示（PDF） - Diotec Semiconductor Germany
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
MMBT5401 Datasheet PDF : 2 Pages
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MMBT5401
MMBT5401
SMD General Purpose PNP Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
IC = -600 mA
hFE = 60 ... 240
Tjmax = 150°C
VCEO = -150 V
Ptot = 250 mW
Version 2018-08-21
SOT-23
(TO-236)
2.9 ±0.1
0.4+0.1
-0.05
3
Type
Code
1.1+0.1
-0.2
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
High collector-emitter voltage
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Hohe Kollektor-Emitter-Spannung
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
1
2
1.9±0.1
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
Weight approx.
3000 / 7“
0.01 g
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
1=B 2=E 3=C
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
260°C/10s
MSL = 1
Löt- und Einbaubedingungen
Type
Code
MMBT5401/-Q = 2Lx
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
MMBT5551/-Q
Maximum ratings 2)
Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
DC
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
- IC
Tj
TS
Grenzwerte 2)
150 V
160 V
5V
250 mW 3)
600 mA
-65...+150°C
-55…+150°C
Characteristics
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 4)
- VCE = 1 V
- IC = 1 mA
- IC = 10 mA
- IC = 50 mA
Tj = 25°C Min.
50
hFE
60
50
Typ.
Kennwerte
Max.
–
–
240
–
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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