BSS84 データシートの表示（PDF） - Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

BSS84

SOT-23 Field Effect Transistors

Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

BSS84

■DEVICE MARKING 打標

BSS84=SP

■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性

(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)

Characteristic

特性參數

Symbol Min Typ Max

符號 最小值 典型值 最大值

Unit

單位

Drain-Source Breakdown Voltage

漏極-源極擊穿電壓(ID =-250uA,VGS=0V) BVDSS

-50

—

—

V

Gate Threshold Voltage

栅極開启電壓(ID =-250uA,VGS= VDS)

VGS(th) -1.0

—

-2.5

V

Diode Forward Voltage Drop

内附二極管正向壓降(ISD=-200mA,VGS=0V) VSD

—

—

-1.5

V

Zero Gate Voltage Drain Current

零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -50V)

(VGS=0V, VDS=-50V, TA=125℃)

Gate Body Leakage

栅極漏電流(VGS=+20V, VDS=0V)

IDSS

—

—

-15

uA

-60

IGSS

—

—

+10

nA

Static Drain-Source On-State Resistance

静态漏源導通電阻(ID=-100mA ,VGS=-5V)

RDS(ON)

—

—

10

Ω

Input Capacitance 輸入電容

(VGS=0V, VDS=-25V,f=1MHz)

CISS

—

73

—

pF

Common Source Output Capacitance

共源輸出電容(VGS=0V, VDS=-25V,f=1MHz)

COSS

—

10

—

pF

Turn-ON Time 开启時間

(VDS=-30V, ID=-270mA, RGEN=6Ω)

t(on)

—

—

5

ns

Turn-OFF Time 关断時間

(VDS=-30V, ID=-270mA, RGEN=6Ω)

t(off)

—

—

20

ns

Reverse Recovery Time 反向恢复時間

(ISD=-100mA, VGS=0V)

trr

—

10

—

ns

1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.

2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.

3. Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%.

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