900N20N データシートの表示（PDF） - Infineon Technologies
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
900N20N Datasheet PDF : 9 Pages
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13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 W
parameter: T j(start)
10
BSZ900N20NS3 G
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=7.6 A pulsed
parameter: V DD
10
25 °C
8
160 V
100 °C
125 °C
6
100 V
1
40 V
4
2
0.1
1
10
100
tAV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
230
220
1000
0
0123456789
Qgate [nC]
16 Gate charge waveforms
V GS
Qg
210
200
V gs(th)
190
180
-60 -20
20
60 100 140 180
Tj [°C]
Q g(th)
Q gs
Rev. 2.2
page 7
Q sw
Q gd
Q gate
2011-07-14
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