IPB034N03LG データシートの表示（PDF） - Infineon Technologies
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
IPB034N03LG Datasheet PDF : 10 Pages
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9 Drain-source on-state resistance
R DS(on)=f(T j); I D=30 A; V GS=10 V
IPP034N03L G
IPB034N03L G
10 Typ. gate threshold voltage
V GS(th)=f(T j); V GS=V DS; I D=250 µA
7
2.5
6
2
5
4
1.5
98 %
3
typ
1
2
0.5
1
0
-60 -20
20
60 100 140 180
T j [°C]
0
-60 -20
20
60 100 140 180
T j [°C]
11 Typ. capacitances
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz
104 10000
12 Forward characteristics of reverse diode
I F=f(V SD)
parameter: T j
1000
103
1000
102
100
Ciss
Coss
Crss
100
10
175 °C
25 °C
175 °C, 98%
25 °C, 98%
101
10
0
Rev. 2.0
5
10
15
20
25
30
V DS [V]
1
0.0
page 6
0.5
1.0
1.5
V SD [V]
2.0
2010-02-19
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