2N6132 データシートの表示（PDF） - New Jersey Semiconductor
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
2N6132 Datasheet PDF : 2 Pages
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Silicon PNP Power Transistors
2N61322N6133 2N6134
CHARACTERISTICS
Tj=25 unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Collector-emitter
VcEO(SUS) sustaining voltage
2N6132
2N6133 lc=-0.1A;la=0
2N6134
VcEsal
Collector-emitter
saturation voltage
2N6132
2N6133 IC=-7A;IB=-1.2A
2N6134
VBE
Base-emitter on voltage
lc=-2.5A ; VCE=-4V
Icev
Collector
cut-off current
2N6132
2N6133
2N6134
VCE— 40V;VBE=1.5V
Tc=150
VCE=-60V;VBE=1.5V
Tc=150
VCE=-80V;VBe=1.5V
Tc=150
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=-5V; lc=0
hpE
DC current gain
lc=-2.5A ; VCE=-4V
fr
Transition frequency
IC=-0.2A ; VCE=-4V
MIN TYP. MAX UNIT
-40
-60
V
-80
-1.4
V
-1.8
-1.4
V
-0.5
-3.0
mA
-0.5
-3.0
-0.5
-3.0
mA
-1.0
mA
20
100
2.5
MHz
a-ftfit tr
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