BTS100 データシートの表示（PDF） - Infineon Technologies

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

BTS100

Smart highside power switch TEMPFET®

Infineon Technologies 

Drain-source on-state resistance

RDS(on) = f (Tj)

Parameter: ID = – 5 A, VGS = – 10 V

TEMPFET® BTS 100

Gate threshold voltage VGS(th) = f (Tj)

Parameter: VDS = VGS, ID = – 1 mA

Typ. transfer characteristic

ID = f (VGS)

Parameter: tp = 80 µs, VDS = – 25 V

Typ. transconductance gfs = f (ID)

Parameter: tp = 80 µs, VDS = – 25 V

6

04.96

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