Número de pieza
CPD91
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Central Semiconductor
CPD91 Hoja de datos - Central Semiconductor
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 11 x 11 MILS
Die Thickness 9.1 MILS
Anode Bonding pad Area 3.4 x 3.4 MILS
Top Side Metalization Al - 15,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å
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