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BZT03D200
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Galaxy Semi-Conductor
BZT03D200 Hoja de datos - Galaxy Semi-Conductor
Galaxy Semi-Conductor
VZ: 6.2 -- 270 V
POWER DISSIPATION: 1.3W
FEATURES
◇Glass passivated junction
◇Hermetically sealed package
◇Clamping time in picoseconds
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