光ディスク IC
BA5983FP / BA5983FM
!電気的特性(特に指定のない限り Ta=25°C, PreVCC=12V, PowVCC1=5V, PowVCC2=5V, BIAS=1.65V, RL=8Ω)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
無信号時回路電流
IQ
−
20
32
mA 無負荷時
ch1, 2, 3スタンバイ時
−
IQST1
6.2
13
mA 無負荷時(PreのみのIQ)
IQST
ch4スタンバイ時IQST
IQST2
−
16
26
mA 無負荷時(PreのみのIQ)
全chスタンバイ時IQST
IQST3
−
−
10
µA 無負荷時(PreのみのIQ)
<ドライバ>
出力オフセット電圧
VOOF
−70
0
70
mV
最大出力振幅1
VOM1
3.6
4.0
−
V
ch1, 2 VIN=VBIAS±2.0V
最大出力振幅2
VOM2
7.5
9.0
−
V
ch3, 4 VIN=VBIAS±2.0V*
電圧利得1
GVC1
10
12
14
dB ch1, 2 VIN=VBIAS±0.5V
電圧利得2
GVC2
16
18
20
dB ch3, 4 VIN=VBIAS±0.5V*
スルーレート
SRDRV
−
1
−
V/µs
スタンバイON電圧
VSTON
−
−
0.5
V
スタンバイOFF電圧
VSTOFF
2.0
−
−
V
バイアス降下ミュート
VBMON
−
ON電圧
−
0.7
V
バイアス降下ミュート
VBMOFF
1.3
−
−
V
OFF電圧
<前段オペアンプ>
バッファ使用時入力範囲 VICM
0
−
9
V
入力オフセット電圧
VOFOP
−6
0
6
mV
入力バイアス電流
IBOP
−
−
300
nA
ハイレベル出力電圧
VOHOP
11
−
−
V
VBIAS=6V
ローレベル出力電圧
VOLOP
−
−
0.3
V
VBIAS=6V
出力駆動電流シンク
ISI
1
−
−
mA
出力駆動電流ソース
ISO
400
800
−
µA
スルーレート
SROP
−
∗ PowVCC1=PowVCC2=12V
耐放射線設計はしておりません。
2
−
V/µs