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Número de pieza
componentes Descripción
SPB11N60C3(2001) Ver la hoja de datos (PDF) - Infineon Technologies
Número de pieza
componentes Descripción
fabricante
SPB11N60C3
(Rev.:2001)
Cool MOS™ Power Transistor
Infineon Technologies
SPB11N60C3 Datasheet PDF : 14 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
Last
SPP11N60C3, SPB11N60C3
Preliminary data
SPI11N60C3
20 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
SPP11N60C3
720
V
21 Avalanche power losses
P
AR
=
f
(
f
)
parameter:
E
AR
=0.6mJ
300
W
680
660
200
640
150
620
600
100
580
50
560
540
-60 -20
20
60 100
°C
180
T
j
0
10
4
10
5
MHz
10
6
f
22 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
10
4
pF
C
iss
10
3
10
2
C
oss
10
1
C
rss
10
0
0
100 200 300 400
V
600
V
DS
23 Typ.
C
oss
stored energy
E
oss
=
f
(
V
DS
)
7.5
µJ
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
100 200 300 400
V
600
V
DS
Page 10
2001-07-05
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