N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1851N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Mechanische Eigenschaften dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Tvj = Tvj max
Qr
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Tvj = Tvj max
IRM
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
F
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
G
f = 50 Hz
typ.
600 µs
max.
12 mAs
max.
280 A
max. 0,0065
max. 0,006
max. 0,011
max. 0,013
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,002 °C/W
max. 0,004 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Seite 3
page 3
45...65 kN
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
typ. 1500 g
33 mm
50 m/s²
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
Seite/page 2/9