SBCT2050 Ver la hoja de datos (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
Número de pieza
componentes Descripción
fabricante
SBCT2050 Datasheet PDF : 2 Pages
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SBCT2020 ... SBCT20100
SBCT2020 ... SBCT20100
Schottky Barrier Rectifier Diodes
Schottky-Gleichrichterdioden
IFAV
VF1
Tjmax
= 2 x 10 A
< 0.52 V
= 150°C
VRRM = 20...100 V
IFSM1 = 130/150 A
Version 2017-12-11
TO-220AB
1.2±0.2
4.5±0.2
2.67±0.2
0.42±0.1
10.1±0.3
Ø 3.8±0.2
4
4
Type
Typ
123
1.3±0.1
0.8±0.2
123
2.54±0.1
Typical Applications
Output Rectification in DC/DC
Converters and Power Supplies
Polarity Protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Features
Low forward voltage drop
Common cathode
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
Packed in tubes/cardboards
Weight approx.
Typische Anwendungen
Ausgangsgleichrichtung in DC/DC-
Wandlern und Netzteilen
Verpolschutz
Freilaufdioden
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Niedrige Fluss-Spannung
Gemeinsame Kathode
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
50/1000
Verpackt in Stangen/Kartons
2.2 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
260°C/10s
MSL N/A
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Type
Typ
SBCT2020
SBCT2030
SBCT2040
SBCT2045
SBCT2050
SBCT2060
SBCT2090
SBCT20100
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
20
30
40
45
50
60
90
100
Grenzwerte 2)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
20
30
40
45
50
60
90
100
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
Repetitive peak forw. current – Period. Spitzenstrom
Peak forward surge current
(half sine-wave)
Stoßstrom in Fluss-Richtung
(Sinus-Halbwelle)
Rating for fusing – Grenzlastintegral
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TC = 100°C 3)
IFAV
10 A 4)
20 A 5)
f > 15 Hz
TC = 100°C 3)
IFRM
30 A 4)
SBT2020...
SBT2060
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
IFSM
130 A 4)
150 A 4)
SBT2090...
50 Hz (10 ms)
SBT20100 60 Hz (8.3 ms)
IFSM
110 A 4)
125 A 4)
t < 10 ms
i2t
80 A2s 4)
Tj
-50...+150°C
TS
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
4 Per diode − Pro Diode
5 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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