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P2000G View Datasheet(PDF) - Diotec Semiconductor Germany

Part Name
Description
MFG CO.
P2000G
Diotec
Diotec Semiconductor Germany  
P2000G Datasheet PDF : 2 Pages
1 2
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
P2000A ... P2000M
Tj = 25°C IF = 5 A
VF
Tj = 25°C IF = 20 A
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
VR = 4 V
Cj
IF = 0.5 A through/über
trr
IR = 1 A to IR = 0.25 A
RthA
RthL
Kennwerte
< 0.87 V
< 1.10 V
< 10 µA
110 pF
typ. 1500 ns
< 4 K/W 1)
< 2.0 K/W
120
[%]
100
80
60
40
20
IFAV
0
0 TA 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
103
[A]
10 3
[A]
10 2
Tj = 125°C
Tj = 25°C
10
1
IF
10 -1
400a-(5a-0.9v)
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
îF
10
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG

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