Q62702-P1675 View Datasheet(PDF) - Siemens AG

Part Name

Description

MFG CO.

Q62702-P1675

Silicon NPN Phototransistor

Siemens AG 

SFH 314

SFH 314 FA

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

Halbwinkel

Half angle

Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 10 V, E = 0

Fotostrom,

Photocurrent

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

VCE = 5 V

Symbol

Symbol

λS max

λ

A

L×B

L×W

H

ϕ

CCE

ICEO

IPCE

IPCE

Wert

Value

Einheit

Unit

SFH 314 SFH 314 FA

850

870

nm

460 ... 1080 740 ... 1080 nm

0.55

0.55

mm2

1×1

1×1

mm × mm

3.4 ... 4.0 3.4 ... 4.0 mm

± 40

± 40

Grad

deg.

15

15

pF

10 (≤ 200) 10 (≤ 200) nA

≥ 0.63

≥ 0.63

mA

7

–

mA

Semiconductor Group

3

1997-11-27

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