JCS730V View Datasheet(PDF) - Jilin Sino-Microelectronics

Part Name

Description

MFG CO.

JCS730V

N-CHANNEL MOSFET

Jilin Sino-Microelectronics 

R

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

上升时间 Turn-On rise time

td(on)

tr

VDD=200V,ID=5.5A,RG=25Ω

（note 4，5）

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

下降时间 Turn-Off Fall time

tf

栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg

栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs

栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd

VDS =320V ,

ID=5.5A

VGS =10V （note 4，5）

JCS730

- 15 40 ns

- 55 120 ns

- 85 180 ns

- 50 110 ns

- 31 39 nC

- 4.0 - nC

- 14 - nC

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

正向最大脉冲电流

IS

- - 5.5 A

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

正向压降

ISM

- - 22 A

Drain-Source Diode Forward

VSD

VGS=0V, IS=5.5A

- - 1.5 V

Voltage

反向恢复时间

Reverse recovery time

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

trr

VGS=0V, IS=5.5A

- 265 - ns

dIF/dt=100A/μs (note 4)

Qrr

- 2.32 - μC

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项目

Parameter

最大

符号

单位

Max

Symbol

Unit

JCS730V/R JCS730S/B/C JCS730F

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

2.05

1.71

3.31 ℃/W

结到环境的热阻

Rth(j-A)

110

Thermal Resistance, Junction to Ambient

62.5

62.5 ℃/W

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=19mH, IAS=5.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结

温 TJ=25℃

3：ISD ≤5.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温

TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1 ： Pulse width limited by maximum junction

temperature

2 ： L=19mH, IAS=5.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3 ： ISD ≤5.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting

TJ=25℃

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

版本：201007A

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