D30SC4M(2013) View Datasheet(PDF) - Shindengen
Part Name
Description
View to exact match
D30SC4M Datasheet PDF : 4 Pages
| |||
D30SC4M
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
順方向特性
Forward Voltage
５０
２０
１０
５
２
Tc＝１５０℃（MAX）
Tc＝１５０℃（TYP）
Tc＝２５℃（MAX）
Tc＝２５℃（TYP）
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
３０
０
IO
tp
２５
T
Tj＝１５０℃
２０
D＝tp/T
０．５
SIN
０．３
０．２
０．１
１５
０．０５
DC
D＝０．８
１０
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
５００
Sine wave
４００
３００
１０ms１０ms
１cycle
Non-repetitive
Tj＝２５℃
２００
１
０．５０
Pulse measurement
Per diode
０．２
０．４
０．６
０．８
１
Forward Voltage VF〔V〕
１００
５
００
１０
２０
３０
４０
５０
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
０１
２
５ １０ ２０
５０ １００
Number of Cycles 〔cycle〕
逆方向特性
Reverse Current
１００００
１０００
Tc＝１５０℃（MAX）
１００
Tc＝１５０℃（TYP）
Tc＝１２５℃（TYP）
１０
１
０．１０
Tc＝１００℃（TYP）
Tc＝７５℃（TYP）
Pulse measurement
Per diode
５ １０ １５ ２０ ２５ ３０ ３５ ４０
Reverse Voltage VR〔V〕
逆電力損失曲線
Reverse Power Dissipation
５０
０
Io
VR
４０
tp D＝tp/T
T
Tj＝１５０℃
３０
２０
DC
D＝０．０５
０．１
０．２
０．３
０．５
１０
SIN
０．８
００
１０
２０
３０
４０
５０
Reverse Voltage VR〔V〕
接合容量
Junction Capacitance
５０００
２０００
１０００
５００
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
Per diode
２００
１００
５００．１ ０．２ ０．５ １ ２
５ １０ ２０ ４０６０
Reverse Voltage VR〔V〕
ディレーティングカーブ Tc-Io
Derating Curve Tc-Io
０
６０
０
tp
５０ DC
T
D＝０．８
４０
０．５
３０ SIN
０．３
０．２
２０
０．１
０．０５
１０
IO
VR
VR＝２０V
D＝tp/T
繰り返しせん頭サージ逆電力減少率
Repetitive Surge Reverse Power Derating Curve
１２０
vR
１００
８０
IRP
０．５IRP
０
tp
iR
VRP
PRRSM＝IRP×VRP
繰り返しせん頭サージ逆電力耐量
Repetitive Surge Reverse Power Capability
１０
vR
IRP
０．５IRP
０
tp
iR
VRP
PRRSM＝IRP×VRP
６０
１
４０
２０
００ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ １６０
００
２５ ５０
7５ １００ １２５ １５０
０．１０．５ １
１０
１００
Case Temperature Tc〔℃〕
Operation Junction Temperature Tj〔℃〕
Pulse Width tp〔μs〕
＊ Sinewaveは 50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（J533-p〈2013.07〉）
Share Link: 